1. 引言
電力電子技術(shù)的發(fā)展,對(duì)功率模塊在提高功率密度、降低損耗、擴(kuò)展工作溫度范圍及提高使用壽命和可靠性方面提出更高要求。功率模塊中與散熱器之間的連接,直接決定了模塊的散熱效率和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。傳統(tǒng)錫鉛焊料或無(wú)鉛焊料,由于其熔點(diǎn)低、導(dǎo)熱性差。因此,燒結(jié)銀技術(shù)以其優(yōu)異的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能及高可靠性,成為功率模塊封裝中的理想選擇,大面積燒結(jié)銀技術(shù),也是最具潛力的解決方案。
本文旨在探討燒結(jié)銀材料在功率模塊至散熱器系統(tǒng)性焊接工藝中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)及必要性,介紹焊接基本工藝方法,并分析可能出現(xiàn)的典型問(wèn)題及其解決方案。
2. 燒結(jié)銀材料的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)及必要性
2.1 大面積燒結(jié)銀工藝的優(yōu)勢(shì)
2.1.1 優(yōu)異的導(dǎo)電與導(dǎo)熱性能
燒結(jié)銀連接層的主要成分為銀,銀作為一種貴金屬,具有極高的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能。其導(dǎo)電率僅次于銅,而導(dǎo)熱率則遠(yuǎn)高于銅,這使得功率模塊中傳導(dǎo)電流和熱量效率顯著提高,降低芯片溫度,提高模塊的工作效率和可靠性。
有關(guān)于同工況下,使用芯片下及系統(tǒng)級(jí)燒結(jié)銀連接方案,將會(huì)比單單在芯片下使用燒結(jié)銀方案,系統(tǒng)溫度將下降約10℃。比全軟焊料解決方案下降更多,能達(dá)到約20℃的顯著效果。
2.1.2 滿(mǎn)足高功率密度需求
隨著新一代SiC, IGBT芯片功率密度的進(jìn)一步提高,燒結(jié)銀技術(shù)以其優(yōu)異的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能及高可靠性,成為滿(mǎn)足高功率密度需求的關(guān)鍵技術(shù)之一。
2.1.3 高熔點(diǎn)與可靠性
銀的熔點(diǎn)高達(dá)961℃,遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)焊料的熔點(diǎn)。這意味著在高溫環(huán)境下,燒結(jié)銀連接層不易產(chǎn)生熔化或疲勞效應(yīng),具有極高的可靠性。
2.1.4 延長(zhǎng)模塊使用壽命
傳統(tǒng)焊料在高溫波動(dòng)及高功率循環(huán)條件下易產(chǎn)生疲勞效應(yīng),導(dǎo)致連接層失效,從而影響模塊的使用壽命。燒結(jié)銀技術(shù),通過(guò)提高連接層的強(qiáng)度和穩(wěn)定性,有效延長(zhǎng)了功率模塊的使用壽命。
2.1.5 環(huán)境友好性
燒結(jié)銀技術(shù)不含鉛等有害物質(zhì),屬于環(huán)境友好型材料。
2.2 大面積燒結(jié)銀材料開(kāi)發(fā)的挑戰(zhàn)
2.2.1 良好的印刷性能,能夠?qū)崿F(xiàn)較好的印刷形狀,平整度等。
2.2.2能實(shí)現(xiàn)較低的應(yīng)用參數(shù)條件,溫度,壓力等燒結(jié)條件,控制在較低的水平,以利于平衡其他器件的工藝窗口,實(shí)現(xiàn)廣泛的工藝適應(yīng)性。
2.2.3能實(shí)現(xiàn)較強(qiáng)的連接可靠性,提高產(chǎn)品性能。
3. 焊接基本工藝方法
3.1大面積燒結(jié)銀材料主要為銀漿(銀膏)類(lèi)型,適用于印刷、點(diǎn)涂等工藝,可以有效補(bǔ)償因?yàn)槁N曲變形引起的各種問(wèn)題。
3.2 焊接工藝流程
大面積燒結(jié)銀焊接,典型工藝流程一般包括以下幾個(gè)步驟:涂覆燒結(jié)銀材料、烘干、貼片和燒結(jié)。
3.2.1 涂覆燒結(jié)銀材料
根據(jù)工藝要求將燒結(jié)銀材料涂覆于芯片或散熱器表面,可采用印刷或點(diǎn)涂工藝。印刷工藝通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,推薦的鋼網(wǎng)厚度為400um或以上,因?yàn)閿?shù)據(jù)顯示,這樣能夠使BLT厚度達(dá)到100um以上,而這樣的厚度才能夠保證系統(tǒng)級(jí)連接的可靠性和最終模塊產(chǎn)品壽命。
3.2.2 烘干
在燒結(jié)前進(jìn)行預(yù)熱處理,以去除材料中的水分和揮發(fā)性成分,提高燒結(jié)效果。典型的烘干條件,溫度為140℃及時(shí)間20min左右,推薦使用氮?dú)獗Ｗo(hù)。
3.2.3 貼片
3.2.4有壓燒結(jié)
在設(shè)定的溫度和壓力下對(duì)部件進(jìn)行燒結(jié)處理。燒結(jié)過(guò)程中銀顆粒通過(guò)原子間的擴(kuò)散形成致密的連接層。典型燒結(jié)溫度和壓力為:溫度220℃,時(shí)間5min,且施加必要的壓力,某些高效燒結(jié)銀材料可能實(shí)現(xiàn)空氣下燒結(jié),使燒結(jié)工藝要求進(jìn)步一降低。
4. 典型問(wèn)題及解決方案
4.1 高輔助壓力對(duì)芯片的損傷
傳統(tǒng)燒結(jié)工藝中,需要較高的輔助壓力以加快燒結(jié)進(jìn)程,但這可能對(duì)芯片造成損傷。推薦選用較低壓力的燒結(jié)銀材料或降低輔助壓力的方法。這里推薦賀利氏最新推出的mAgic PE 350燒結(jié)銀材料,其可以實(shí)現(xiàn)最低10mPa 的壓力燒結(jié),幾乎與芯片燒結(jié)水平相當(dāng),甚至更低。
另外,PE350還具有良好的印刷性能,其能實(shí)現(xiàn)十分規(guī)則的印刷成型,以及光滑的印刷表面。
在可靠性表現(xiàn)上,PE350同樣表現(xiàn)不俗,其燒結(jié)層結(jié)構(gòu)分布均勻,從器件中心切片來(lái)看,其孔隙率等表現(xiàn)幾乎與芯片燒結(jié)表現(xiàn)相近。
在某些實(shí)際應(yīng)用中,通過(guò)了1000圈以上的嚴(yán)苛TST 沖擊測(cè)試,無(wú)明顯開(kāi)裂失效,令人驚艷。
4.2 燒結(jié)層空洞問(wèn)題
燒結(jié)過(guò)程中可能因材料分布不均、燒結(jié)條件不當(dāng)?shù)仍?導(dǎo)致燒結(jié)層出現(xiàn)空洞等缺陷。為解決這一問(wèn)題,需嚴(yán)格控制燒結(jié)條件如溫度、壓力和氣氛等,并優(yōu)化燒結(jié)銀材料的配方和工藝參數(shù)。賀利氏電子PE350燒結(jié)銀,在大面積燒結(jié)應(yīng)用上,實(shí)現(xiàn)了非常理想的系統(tǒng)焊接表現(xiàn)。
此外,采用先進(jìn)的檢測(cè)設(shè)備,對(duì)燒結(jié)層進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè),也是預(yù)防空洞等缺陷的有效手段。
4.3 連接層可靠性問(wèn)題
連接層的可靠性,直接關(guān)系到功率模塊的使用壽命和性能穩(wěn)定性。為提高連接層的可靠性,可采用雙面燒結(jié)技術(shù)或增加燒結(jié)層厚度等方法。
結(jié)論與展望
燒結(jié)銀技術(shù)作為一種新型的高可靠性連接技術(shù),在功率模塊封裝中具有廣泛的應(yīng)用前景。本文詳細(xì)介紹了燒結(jié)銀材料,在功率模塊至散熱器系統(tǒng)性焊接工藝中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)及必要性,闡述了焊接基本工藝方法,并分析了可能出現(xiàn)的典型問(wèn)題及其解決方案。并推薦賀利氏電子PE350大面積燒結(jié)銀材料,其優(yōu)秀的工作性,出色的連接可靠性,正逐漸從市場(chǎng)檢驗(yàn)中嶄露頭角。未來(lái)隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展和進(jìn)步,燒結(jié)銀技術(shù)將在更多領(lǐng)域得到應(yīng)用和推廣,相信賀利氏電子PE350也會(huì)有非常廣闊的前景。同時(shí),我們也需要不斷探索和創(chuàng)新燒結(jié)銀材料的配方和工藝條件,以進(jìn)一步提高其性能和降低成本,滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。（作者：賀利氏電子材料有限公司 羅金濤）
作者：羅金濤
評(píng)論